位错溶度英语怎么说及英文单词
1. 溶解度和浓度的全英文名怎么写
solubility
consistency
2. 氰尿酸溶解度
三氯异氰尿酸白色粉未，水中溶解度为1．2％，有效氯含量90％。
简介
中文名称：三氯异氰脲酸；三氯异氰尿酸；强氯精；三氯乙氰脲酸；三氯三嗪三酮
熔点：247-251℃
英文名：Trichloroisocyanuric acid （TCCA）
英文别名：Trichloroisocyanuric acid；3,5-Triazine-2,4,6（1H,3H,5H)-trione，；1,3,5-trichloro-1;6（1h,3h,5h)-trione；1,3,5-trichloro-s-triazine-4;5-triazine-2,4,6（1h,3h,5h)-trione；1,3,5-trichloro-3;1,3,5-trichloro-1,3,5-triazinetrione；1,3,5-trichloro-2,4,6-trioxohexahydro-s-triazine；1,3,5-trichloro-s-triazine-2,4,6（1h,3h,5h)-trione。
类别：消毒防腐药·卤素类
白色结晶性粉末或粒状固体，具有强烈的氯气刺激味，含有效氯在90%以上，25度时水中的溶解度为1.2克，遇酸或碱易分解[1] 。
结构性质编辑
一、基本理化性质。
分子式：C3Cl3N3O3
分子量：232.41
有效氯含量（%）：（优等品）≥90.0；（合格品）≥88.0
水分含量（%）：≤0.5
外观：白色结晶粉剂、粒剂、块剂 （200克片，500克片等）
性状：有刺激性气味
比重：0.95（轻质）/1.20（重质）
pH值（1%水溶液）：2.6～3.2
溶解度（25℃水）：1.2g/100g
溶解度（30℃丙酮）：36g/100g
三氯异氰尿酸是氯代异氰尿酸系列产品之一，学名三氯-均三嗪2，4，6（1H，3H，5H）三酮，英文名称Trichl0ID-isocyantlric Acid．简称TCCA，纯品为粉末状白色结晶，有效氯理论含量91．54%，工业品有效氯含量不低于85%，活性氯含量比漂白粉高2～3倍。三氯异氰尿酸是漂白粉、漂白精的更新换代产品，三废比漂白精大大降低，先进国家有用它替代漂白精的趋势。化学结构式为：
3. 大家帮忙翻译一下这段英文，不要谷歌的
Whisker formation occurred only under very specific process conditions that proced a high etch selectivity at the dislocations. We have previously reported whisker formation in narrow window of solution concentration (0.01–0.04 M KOH) for unstirred solutions.
晶须的形成只有处于很具体的工艺条件下在位错产生高腐蚀选择性时才会发生。我们以前曾经报导过在未搅拌的，浓度在0.01–0.04 M KOH之间的溶液的窄窗口有晶须形成。
5 Stirring the solution ring etching provided more controllable process conditions by enabling whisker formation over a wider range of solution concentration (compared to unstirred solutions).
When using stirred solutions, selective etching occurred for concentrations of 0.001–0.01 M KOH. Note that these solutions are significantly more dilute than for the unstirred case.
5. 在腐蚀过程搅拌溶液可以促使晶须在更宽广的溶液浓度范围形成（与未搅拌溶液相对比），这样可以提供更多可控的工艺条件。使用浓度在0.001–0.01 M KOH之间的搅拌溶液可以产生选择性腐蚀。要注意的是这些溶液要比未搅拌溶液的浓度显著地更稀释。
The solution concentrations that enable the selective etching of dislocations appear to correspond to moderately diffusion-limited etching conditions. Decreasing the solution concentration further resulted in a strongly diffusion-limited etch process and a smooth etched surface morphology free of whiskers.
促使位错的选择性腐蚀的溶液浓度似乎与中等扩散限制的腐蚀条件相对应。进一步降低溶液浓度的结果是一个强性扩散限制的腐蚀过程以及一个没有晶须的平滑表面形貌。
【英语牛人团】
您是苗族人吗？您翻译的In the End, 英语水平不错呀！
4. 几何必须位错的概念是什么，及其对塑性的影响
1、定义
位错又可称为差排（英文：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。“位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔特拉（Vito
Volterra）于1905年提出。
理想位错主要有两种形式：刃位错（edge dislocations）和 螺位错（screw dislocations）。混合位错（mixed dislocations）兼有前面两者的特征。
这一理论可以解释实际晶体中位错的行为：可以在晶体中移动位置，但自身的种类和特征在移动中保持不变；方向（伯格斯矢量）相反的两个位错移动到同一点，则会双双消失，或称“湮灭”，若没有与其他位错发生作用或移到晶体表面，那么任何单个位错都不会自行“消失”（即伯格斯矢量始终保持守恒）。
位错的几何概念
①简单立方（simple
cubic）晶体原子排列和②晶面示意图刃位错和螺位错是主要的两种位错类型。然而实际晶体中存在的位错往往是混合型位错，即兼具刃型和螺型位错的特征。
晶体材料由规则排列的原子构成，一般把这些原子抽象成一个个体积可忽略的点，把它们排列成的有序微观结构称为空间点阵。逐层堆垛的原子构成一系列点阵平面的，称为晶面（可以将晶体中原子的排列情况想像成把橙子规则地装进箱子里的样子）。具体的排列情况如图2所示。在无位错的晶体（完整晶体）中，晶面（图2中的红色平行四边形）以等间距规则地排列
2、刃位错
③一个刃位错附近的晶面排列情况，图中黑线代表伯格斯矢量方向，蓝线为位错线。
④刃位错附近的原子排列情况，沿平行于位错线方向观察若一个晶面在晶体内部突然终止于某一条线处，则称这种不规则排列为一个刃位错。如③和④所示，刃位错附近的原子面会发生朝位错线方向的扭曲以致错位。
刃位错可由两个量唯一地确定：第一个是位错线，即多余半原子面终结的那一条直线；第二个是伯格斯矢量（Burgers
vector，简称伯氏矢量或柏氏矢量），它描述了位错导致的原子面扭曲的大小和方向。对刃位错而言，其伯氏矢量方向垂直于位错线的方向。
利用弹性力学理论可求得刃位错导致的应力场为：
σxx=―[μb*y(3x^2+y^2)]/[2π(1―v)(x^2+y^2)]
σyy=―[μb*y(x^2-y^2)]/[2π(1-v)(x^2+y^2)
τzz=―[μb*x(x^2-y^2)]/[2π(1-v)(x^2+y^2)
其中 μ 为材料的剪切模量，b 为伯格斯矢量，ν
为泊松比，x 和 y 为直角坐标分量。 从上述解中可以看出，在含有多余半原子面的一侧（y > 0），材料承受压应力（σxx <
0）；在多余半原子面“消失”的一侧（y < 0），材料承受拉应力（σxx > 0）。
螺位错
如⑤所示，将规则排列的晶面想像成一叠间距固定的纸片，若将这叠纸片剪开（但不完全剪断），然后将剪开的部分其中一侧上移半层，另一侧下移半层，形成一个类似于楼梯拐角处的排列结构，则此时在“剪开线”终结处（这里已形成一条垂直纸面的位错线）附近的原子面将发生畸变，这种原子不规则排列结构称为一个螺位错。
⑤一个螺位错附近的晶面排列情况可以看出，螺位错的伯氏矢量平行于其位错线方向。
尽管形象不甚直观，但螺位错的应力场却远比刃位错的应力场容易求解。在一级近似下，螺位错应力场只有一个剪应力分量不为零：τr=-μb/2πr
式中 μ 为材料的剪切模量，b 为伯氏矢量，r
为所在点的极坐标极轴分量。
该应力解显示，螺位错附近的应力场呈轴对称式分布，大小从内到外递减。但需要注意的是在位错核心区（r=0）处按上述解将得出应力无穷大，这是不符合实际情况的。因此上述应力表达式不适用于位错核心的严重畸变区。
3、混合位错
如前所述，刃位错的伯氏矢量垂直于位错线的方向，螺位错的伯氏矢量平行于其位错线方向。但实际材料中位错的伯氏矢量往往既非平行又非垂直于位错线方向，这些位错兼具了刃位错和螺位错的特征，称为混合位错。
位错的观测 间接观测
若材料中的位错线与材料表面相交（俗称位错“露头”），则交点处附近由于位错应力场的存在，其化学稳定性将低于表面的其它部分。若用酸性腐蚀剂（如氢氟酸和硝酸的混合溶液）对这样的表面进行腐蚀，则位错“露头”处的腐蚀速度将远高于其它部分，可形成一个“腐蚀坑”。再利用一些表面显微观察技术（如扫描电子显微镜、干涉显微镜等等）便可以观察到位错的“露头”位置。图6中展示了在干涉显微镜下，经上述方法制备得到硅片表面位错腐蚀坑的形态，根据腐蚀坑边缘的形状可以确定硅片的晶体学取向——椭圆形代表硅片表面为(100)晶面，三角形代表硅片表面为(111)晶面。
若施加外力令材料发生一系列微小变形，则每次变形后某一特定位错都将处于不同的位置。如果每次变形后都对材料表面进行腐蚀，则同一位错形成的一系列腐蚀坑将粗略地显示出位错运动的轨迹。
进行上述观测的前提是材料表面能加工到具有足够高的光洁度，或者说足够低的粗糙度。
直接观测 ⑦位错的透射电子显微镜照片
⑧位错的透射电子显微镜照片
利用透射电子显微镜（Transmission
Electron
Microscope，简称TEM）可直接观察到材料微结构中的位错。TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可以穿过的薄膜。在没有位错存在的区域，电子通过等间距规则排列的各晶面时将可能发生衍射，其衍射角、晶面间距及电子波长之间满足布拉格定律（Bragg's
law）。而在位错存在的区域附近，晶格发生了畸变，因此衍射强度亦将随之变化，于是位错附近区域所成的像便会与周围区域形成衬度反差，这就是用TEM观察位错的基本原理，因上述原因造成的衬度差称为衍射衬度。
在⑦和⑦中，中间稍亮区域（晶粒）里的暗线就是所观察到位错的像。由于多晶材料中不同晶粒的晶体学取向不同，因此晶粒之间亦存在衬度差别，这就是图7和图8中中间区域较周围区域更亮的原因。值得注意的是，图中位错像所具有的“蜿蜒”的形态，这是位错线在厚度方向穿过试样（薄膜）的位错在TEM下的典型形态；还需注意的是图中位错像的终结处实际上是因为位错线到达了试样表面，而非终结在了试样内部。所有位错都只能以位错环的形式终结于晶粒的内部。
用TEM观察位错时，放大倍数一般选在5万到30万倍之间，这远未达到TEM放大倍数的极限。部分TEM还配有对试样进行在观察中原位加热/变形的装置，可以直接对位错的运动进行实时观察。
场离子显微镜（Field ion
micros，简称FIM）和原子探针（atom
probe）技术提供了放大倍数更高（一般在300万倍以上）的观测方法，可在原子尺度对材料表面的位错进行直接观测。
4、位错源
材料中的位错密度会随着塑性形变的进行而增加，其数量大致满足关系：，其中 τ
为塑性流动应力，ρ
为位错密度。由这一关系可以推测，材料内部必然存在着位错的起源与增殖的机制，这些机制在外加应力的作用下将被激活，以提供增加的位错数。
人们已发现材料中存在以下三种位错的起源（成核）机制：均匀成核、晶界成核和界面成核，其中最后一种包括各种沉淀相、分散相或增强纤维等等。
位错的增殖机制主要也有三种机制：弗兰克-里德位错源（Frank-Read
source）机制、双交滑移增殖机制，和攀移增殖机制。
5、位错的滑移与晶体塑性
在1930年代以前，材料塑性力学行为的微观机理一直是严重困扰材料科学家重大难题。1926年，苏联物理学家雅科夫·弗仑克尔（Jacov
Frenkel）从理想完整晶体模型出发，假定材料发生塑性切变时，微观上对应着切变面两侧的两个最密排晶面（即相邻间距最大的晶面）发生整体同步滑移。根据该模型计算出的理论临界分剪应力τm
为[4]：
其中G 为剪切模量。一般常用金属的G
值约为104MPa～105MPa，由此算得的理论切变强度应为103MPa～104MPa。然而在塑性变形试验中，测得的这些金属的屈服强度仅为0.5～10MPa，比理论强度低了整整3个数量级。这是一个令人困惑的巨大矛盾。
1934年，埃贡·欧罗万（Egon
Orowan），迈克尔·波拉尼（Michael Polanyi）和 G.I. 泰勒（G. I.
Taylor）三位科学家几乎同时提出了塑性变形的位错机制理论，解决了上述理论预测与实际测试结果相矛盾的问题[5]，[6]，[7]。位错理论认为，之所以存在上述矛盾，是因为晶体的切变在微观上并非一侧相对于另一侧的整体刚性滑移，而是通过位错的运动来实现的。一个位错从材料内部运动到了材料表面，就相当于其位错线扫过的区域整体沿着该位错伯格斯矢量方向滑移了一个单位距离（相邻两晶面间的距离）。这样，随着位错不断地从材料内部发生并运动到表面，就可以提供连续塑性形变所需的晶面间滑移了。与整体滑移所需的打断一个晶面上所有原子与相邻晶面原子的键合相比，位错滑移仅需打断位错线附近少数原子的键合，因此所需的外加剪应力将大大降低。
在对材料进行“冷加工”（一般指在绝对温度低于0.3
Tm下对材料进行的机械加工，Tm
为材料熔点的绝对温度）时，其内部的位错密度会因为位错的萌生与增殖机制的激活而升高。随着不同滑移系位错的启动以及位错密度的增大，位错之间的相互交截的情况亦将增加，这将显著提高滑移的阻力，在力学行为上表现为材料“越变形越硬”的现象，该现象称为加工硬化（work
hardening）或应变硬化（strain
hardening）。缠结的位错常能在塑性形变初始发生时的材料中找到，缠结区边界往往比较模糊；在发生动态回复（recovery）过程后，不同的位错缠结区将分别演化成一个个独立的胞状结构，相邻胞状结构间一般有小于15°的晶体学取向差（小角晶界）。
由于位错的积累和相互阻挡所造成的应变硬化可以通过适当的热处理方法来消除，这种方法称为退火。退火过程中金属内部发生的回复或再结晶等过程可以消除材料的内应力，甚至完全恢复材料变形前的性能。
刃位错的攀移
⑨刃位错的攀移位错可以在包含了其伯格斯矢量和位错线的平面内滑移。螺位错的伯氏矢量平行于位错线，因此它可以在位错线所在的任何平面内滑移。而刃位错的伯氏矢量垂直于位错线，所以它只有一个滑移面。但刃位错还有一种在垂直于其滑移面方向上的运动方式，这就是攀移，即构成刃位错的多余半原子面的伸长或缩短。
攀移的驱动力来自于晶格中空位的运动。如⑨所示，若一个空位移到了刃位错滑移面上与位错线相邻的位置上，则位错核心处的原子将有可能“跃迁”到空位处，造成半原子面（位错核心）向上移动一个原子间距，这一刃位错“吸收”空位的过程称为正攀移。若反之，有原子填充到半原子面下方，造成位错核心向下移动一个原子间距，则称为负攀移。
由于正攀移导致了多余半原子面的退缩，所以将使晶体在垂直半原子面方向收缩；反之，负攀移将使晶体在垂直半原子面方向膨胀。因此，在垂直半原子面方向施加的压应力会促使正攀移的发生，反之拉应力则会促使负攀移的发生。这是攀移与滑移在力学影响上的主要差别，因为滑移是由剪应力而非正应力促成的。
位错的滑移与攀移另一处差异在于温度相关性。温度的升高能大大增加位错攀移的概率。相比而言，温度对滑移的影响则要小得多。
partition [pɑ:'tiʃən] n. 分割；划分，分开；隔离物；隔墙
vt. 分割；区分；分隔
partition..
1. 分割
在Windows下以实体磁碟机建立基本磁碟时，是以分割（Partition）作为储存与管理的单位，又分为主要分割与延伸分割，主要磁碟分割中可存放引导系统开机用的主开机纪录，藉由MBR分区表（partition...
2. 隔间,区分
托业词300 ...
leave 请假 He is often absent without leave
partition 隔间,区分
junk 垃圾 punk 朋克 ...
heaven.space.nau.e.cn- 基于215个网页
3. 分割区
分割区(Partition):因中毒、作业系统错误、其他软体使用不当而造成分割区,可用..
4. 分隔
[托业考试]TOEIC词汇汇总(18) ...
out-tray 已处理文件盒
partition 分隔；分隔物（如墙壁等）
postage 邮费 ...
partition..分割 | 隔间,区分 | 分割区 | 分隔
partition
1. 分割
在Windows下以实体磁碟机建立基本磁碟时，是以分割（Partition）作为储存与管理的单位，又分为主要分割与延伸分割，主要磁碟分割中可存放引导系统开机用的主开机纪录，藉由MBR分区表（partition...
2. 隔间,区分
托业词300 ...
leave 请假 He is often absent without leave
partition 隔间,区分
junk 垃圾 punk 朋克 ...
3. 分割区
分割区(Partition):因中毒、作业系统错误、其他软体使用不当而造成分割区,可用..
4. 分隔
[托业考试]TOEIC词汇汇总(18) ...
out-tray 已处理文件盒
partition 分隔；分隔物（如墙壁等）
postage 邮费 ...
partition coefficient..分配系数 | 配分系数 | 分配系数 | 狭义分配系数：
partition coefficient..分配系数 | 配分系数 | 分配系数 | 狭义分配系数：
partition coefficient
1. 分配系数
...色谱中，溶于流动相与溶于固定相的溶质分子处于动态平衡，平衡时浓度之比(严格应为活度比)为狭义分配系数(partition coefficient)： ；
溶质分子在固定相中溶解度越大，或在流动相中溶解度越小，则K越大。
2. 配分系数
化学及化工专业英语词汇(P) - 专业词汇 - 英语词汇网 - 专业英语单词词汇 ...
partition chromatography 配分色层法
partition coefficient 配分系数
partition function 配分函数 ...
3. 分配系数
吾人可依此计算分配系数(partition coefficient)，作为实际工程设计参数。而在pH为9时，吸附行为於低浓度为线性，高浓度则达到饱和，此非线性吸附类似Freundlich吸附模式。
4. 狭义分配系数：
上海化学词汇翻译 上海翻译化学公司 意神上海化学翻... ...
分配系数：distribution cofficient
狭义分配系数：partition coefficient
凝胶色谱法：gel chromatography ...
partition chromatography..分配色谱法 | 配分色层法 | 分配层析 | 分配色层谱学
partition chromatography..分配色谱法 | 配分色层法 | 分配层析 | 分配色层谱学
partition chromatography
1. 分配色谱法
分配色谱法 （partition chromatography ）：根据不同组分在固定相中的溶解能力和在两相间分配系数的差异进行分离的方法。如：气-液色谱法、液-液色谱法——分配色谱3.
2. 配分色层法
化学及化工专业英语词汇(P) - 专业词汇 - 英语词汇网 - 专业英语单词词汇 ...
partition 配分
partition chromatography 配分色层法
partition coefficient 配分系数 ...
3. 分配层析
...dsorption chromatography )即利用吸附剂表面对不同组分吸附性能的差异,达到分离鉴定的目的;分配层析(partition chromatography)即利用不同组分在流动相和固定相之间的分配系数(或溶解度)不同,而使之分离的方法;离子交换层析(ion-exchange chromatography )即...
4. 分配色层谱学
免费专业英语词汇下载 ...
微粒 particulate
分配色层谱学 partition chromatography
分配函数 partition function ...
extended partition..扩展分区 | 延伸分割区 | 扩充分区 | 延伸区间
extended partition..扩展分区 | 延伸分割区 | 扩充分区 | 延伸区间
extended partition
1. 扩展分区
扩展分区(Extended Partition): 所谓扩展分区，严格地讲它不是一个实际意义的分区，它仅仅是一个指向下一个分区的指针，这种指针结构将形成一个单向链表。
2. 延伸分割区
延伸分割区（Extended Partition）：一颗硬碟最多只能拥有四个主要分割区，为了增加分割区的数量，故有了延伸分割区的产生，当你将一个分割区设定为延伸时，事实上...
3. 扩充分区
...本已安装好的软件，其实，只要在新硬盘上不要使用Primary Partition（主分区）分区类型，全部割成Extended Partition（扩充分区）然后建立Logical Drive（逻辑磁盘），新硬盘被分配的磁盘代号就不会被插入在旧硬盘的磁盘代号前面了。
4. 延伸区间
电力相关词汇中英文翻译（10） ...
延伸奇偶核对 extended parity checking，EPC
延伸区间 extended partition
延伸分区规格表 extended partition specification table，EPST ...
isolating partition..隔离间壁 | 绝缘隔板 | 绝缘隔 | 绝缘隔（考试大咨询工程师）
isolating partition..隔离间壁 | 绝缘隔板 | 绝缘隔 | 绝缘隔（考试大咨询工程师）
isolating partition
1. 隔离间壁
中英文工程词典(I) ...
island site 多面向街地段
isolated footing 独立基脚
isolating partition 隔离间壁；绝缘隔板 ...
2. 绝缘隔板
中英文工程词典(I) ...
island site 多面向街地段
isolated footing 独立基脚
isolating partition 隔离间壁；绝缘隔板 ...
3. 绝缘隔
黑龙江考试教育网>>建筑英语词汇总结（1） ...
island site 多面向街地段
isolated footing 独立基脚
isolating partition 隔离间壁；绝缘隔 ...
4. 绝缘隔（考试大咨询工程师）
咨询工程师考试：建筑类英语词汇总结（八十）-中国注... ...
island site 多面向街地段
isolated footing 独立基脚
isolating partition 隔离间壁；绝缘隔（考试大咨询工程师） ...
Accordion partition..折叠隔板 | 折隔屏 | 摺隔屏 | 折隔扇，折隔屏
Accordion partition..折叠隔板 | 折隔屏 | 摺隔屏 | 折隔扇，折隔屏
Accordion partition
1. 折叠隔板
汽车相关术语英文大全 ...
Accordion door 折叠门
Accordion partition 折叠隔板
Accumulation wear average 累计平均磨耗 ...
2. 折隔屏
北京好译来翻译中心-翻译 ...
accordion door 折迭门
accordion partition 折隔屏
accumulation 积蓄 ...
3. 摺隔屏
台湾土木工程词汇十九 ...
Gleization 水作用
accordion partition 摺隔屏
accordion door 摺 ...
4. 折隔扇，折隔屏
技术词典 ...
accomulating 累计
accordion seek 往复寻道
accoun file 记帐文件 ...
Graph Partition..图的划分 | 图形分割
Graph Partition..图的划分 | 图形分割
Graph Partition
1. 图的划分
超武精神 ...
Hamiltonian Cycle Hamilton回路
Graph Partition 图的划分
Vertex Coloring 点染色 ...
2. 图形分割
计算机通信工程英语词汇翻译 ...
图形启动 graph on
图形分割 graph partition
图形绘图器 graph plotter ...
partition strategy..分段策略 | 部分性策略
partition strategy..分段策略 | 部分性策略
partition strategy
1. 分段策略
心理学词汇(psychology) 8 ...
整体策略 whole strategy
分段策略 partition strategy
同时性扫描 simultaneous scanning ...
2. 部分性策略
心理学专业英语词汇(P1) ...
partition scale 区分量表
partition strategy 部分性策略
partitive behavior 区分行为 ...
air partition..风墙 | 隔风墙 | 空气隔断
air partition..风墙 | 隔风墙 | 空气隔断
air partition
1. 风墙
矿业工程专业词汇A ...
air operated machine 风动机
air partition 风墙
air permeability 透气性 ...
2. 隔风墙
建筑词汇a ...
air park 私人停机机场
air partition 隔风墙
air passage 风道;通风槽 ...
3. 空气隔断
英汉制冷与空调词汇-A ...
air parameter 空气参数
air partition 空气隔断
air passage 空气通道 ...
partition bulkhead..隔间舱壁 | 分隔舱壁 | 间壁 | 分隔隔壁
partition bulkhead..隔间舱壁 | 分隔舱壁 | 间壁 | 分隔隔壁
partition bulkhead
1. 隔间舱壁
Chinglish Wiki ...
支桅强板 partner
隔间舱壁 partition bulkhead
部分船艛 partial superstructure ...
2. 分隔舱壁
航海及海运专业英语词汇(P1) ...
partition board 隔板
partition bulkhead 分隔舱壁
partition bulkhead 分隔隔壁 ...
3. 间壁
航海及海运专业英语词汇(P1) ...
partition bulkhead 分隔隔壁
partition bulkhead 间壁
partition of element 单元分割 ...
4. 分隔隔壁
航海及海运专业英语词汇(P1) ...
partition bulkhead 分隔舱壁
partition bulkhead 分隔隔壁
partition bulkhead 间壁 ...
相关词组
隐藏相关词组
例句与用法
1. Specify whether you want to format this partition.
指定是否想格式化这个磁盘分区。
chinesebuyhome.com
2. The partition flag field for this volume record cannot be read.
无法读取这个卷记录的分区标志字段。
www.volunteering-hk.org
3. Also note that FAT tables in the second partition are smaller than in the first one.
同样还需要注意到，在第二个分区中的FAT表要比第一个的小。
6. 溶度积计算公式
例如：AgCI(s)≒Ag+(aq)+Cl-(aq)
该反应的平衡常数表达式如下：
(6)位错溶度英语怎么说及英文单词扩展阅读
一般说，组成相似的难溶电解质随Ksp减小，溶解度也减小，比如Ksp（AgCl）>Ksp（AgBr）>Ksp（AgI），则溶解度S（AgCl）>S（AgBr）>S（AgI）。
组成不同的难溶电解质（比如AgCl和Ag₂CrO₄）的Ksp大小，不能直接反映出它们的溶解度大小，需通过计算进行溶解度的比较。而在AgNO₃溶液中，由于同离子效应，使AgCl和Ag₂CrO₄的溶解度均比在水中明显降低。
7. 什么是位错位错对金属力学性能有什么影响
位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响，主要就是造成晶格畸变，导致韧性下降，脆性上升，强度提高。
位错对金属力学性能影响，首先，金属材料的强度与位错在材料受到外力的情况下如何运动有很大的关系。如果位错运动受到的阻碍较小，则材料强度就会较高。实际材料在发生塑性变形时，位错的运动是比较复杂的，位错之间相互反应、位错受到阻碍不断塞积、材料中的溶质原子、第二相等都会阻碍位错运动，从而使材料出现加工硬化。因此，要想增加材料的强度就要通过诸如：细化晶粒（晶粒越细小晶界就越多，晶界对位错的运动具有很强的阻碍作用）、有序化合金、第二相强化、固溶强化等手段使金属的强度增加。
8. 请问什么是溶度
溶度参数就是溶解度参数，但是溶度积不是溶解度。单独的溶度这个概念没有遇到过。
溶解度(Solubility) 在一定的温度和压力下，物质在一定量的给定溶剂中溶解的最大量称为溶解度。固体或液体物质的溶解度，一般用100g溶剂中能够溶解物质的克数表示。气体溶质的溶解度常用每升溶剂中所溶解气体的毫升数表示。
溶解度参数(Solubility parameter) 溶解度参数还称为溶度参数，是分子间作用力的一种量度。使分子聚集在一起的作用能称为内聚能。单位体积的内聚能叫做内聚能密度(CED)、CED的平方根(CED)1/2定义为溶解度参数，代号为δ或SP。
溶度积Ksp是从平衡常数角度反应难溶电解质溶解趋势，而溶解度表示难溶物溶解的程度，常用S来表示难溶物饱和溶液的物质的量浓度，从难溶物电解质溶解和电离出的离子浓度与溶解度S的关系找得Ksp和S关系式。
(1) 以BaSO4 为例，设其溶解度为S，得与Ksp的关系：
BaSO4（s） ←→ Ba2+ （aq） + SO42-（aq）
平衡时 S S
得：Ksp＝S2 所以：S＝（Ksp）1/2
以AgCrO4为例，设平衡时[CrO2-]为S，则[Ag +]为2 S，则由反应式得：
AgCrO4 ←→ 2 Ag +＋ CrO2-
平衡时 2S S
得：Ksp＝(2S)2·S 所以：S＝（Ksp/4）1/3
（2）同离子效应对溶解度的影响
设AgCl在0.10 mol·L-1的NaCl中溶解度为S，由反应式得：
AgCl ←→ Ag＋＋ Cl－
平衡时 S S＋0.10
得：Ksp＝S（S＋0.10） 而S << 0.10
所以：Ksp＝S×0.10 ，S＝ 10Ksp
（3）盐效应
由于在溶液中加入可溶性强电解质而使难溶性强电解质得溶解度增大的效应。但是盐效应引起的溶解度的变化很小，一般情况下不予考虑。
9. 溶度积，是什么意思英文怎么说跟离子积是什么关系
溶度积：难溶电解质在水中的沉淀溶解平衡常数，称为溶度积常数，简称溶度积。
英文solubility proct
跟离子积没关系。离子积常数是研究水的电离的。