功能器件英语怎么说及英文翻译
❶ 功率器件 门极和栅极有什么区别
据我了解，门极是针对于电流驱动型器件来说的，它指的是电流驱动型器件的控制端。
栅极是针对于电压驱动型器件来说的，它指的是电压驱动型器件的控制端。
门极和栅极二者的英文翻译均为gate，简称均为G。
❷ 电子线路词汇的英文翻译
transistor n 晶体管 diode n 二极管
semiconctor n 半导体 resistor n 电阻器
capacitor n 电容器 alternating adj 交互的
amplifier n 扩音器，放大器 integrated circuit 集成电路
linear time invariant systems 线性时不变系统
voltage n 电压，伏特数 tolerance n 公差；宽容；容忍
condenser n 电容器；冷凝器 dielectric n 绝缘体；电解质
electromagnetic adj 电磁的 adj 非传导性的
deflection n偏斜；偏转；偏差
linear device 线性器件 the insulation resistance 绝缘电阻
anode n 阳极，正极 cathode n 阴极
breakdown n 故障；崩溃 terminal n 终点站；终端，接线端
emitter n 发射器 collect v 收集，集聚，集中
insulator n 绝缘体，绝热器 oscilloscope n 示波镜；示波器
gain n 增益，放大倍数 forward biased 正向偏置
reverse biased 反向偏置 P-N junction PN结
MOS（metal-oxide semiconctor） 金属氧化物半导体
enhancement and exhausted 增强型和耗尽型
integrated circuits 集成电路
analog n 模拟 digital adj 数字的，数位的
horizontal adj, 水平的，地平线的 vertical adj 垂直的，顶点的
amplitude n 振幅，广阔，丰富 attenuation n衰减；变薄；稀薄化
multimeter n 万用表 frequency n 频率，周率
the cathode-ray tube 阴极射线管 al-trace oscilloscope 双踪示波器
signal generating device 信号发生器peak-to-peak output voltage 输出电压峰峰值
sine wave 正弦波 triangle wave 三角波 square wave 方波
amplifier 放大器，扩音器 oscillator n 振荡器
feedback n 反馈，回应 phase n 相，阶段，状态
filter n 滤波器，过滤器 rectifier n整流器；纠正者
band-stop filter 带阻滤波器 band-pass filter 带通滤波器
decimal adj 十进制的，小数的 hexadecimal adj/n十六进制的
binary adj 二进制的；二元的 octal adj 八进制的
domain n 域；领域 code n代码，密码，编码v编码
the Fourier transform 傅里叶变换 Fast Fourier Transform 快速傅里叶变换
microcontroller n 微处理器；微控制器
assembly language instrucions n 汇编语言指令
chip n 芯片，碎片 molar adj 模块化的；模数的
sensor n 传感器 plug vt堵，塞，插上n塞子，插头，插销
coaxial adj 同轴的，共轴的 fiber n 光纤
relay contact 继电接触器 single instruction programmer 单指令编程器
dedicated manufactures programming unit 专供制造厂用的编程单元
beam n （光线的）束，柱，梁 polarize v（使）偏振，（使）极化
Cathode Ray Tube（CRT） 阴极射线管
neuron n神经元；神经细胞 fuzzy adj 模糊的
Artificial Intelligence Shell 人工智能外壳程序 Expert Systems 专家系统
Artificial Intelligence 人工智能 Perceptive Systems 感知系统
neural network 神经网络 fuzzy logic 模糊逻辑 intelligent agent 智能代理
electromagnetic adj 电磁的 coaxial adj 同轴的，共轴的
microwave n 微波 charge v充电，使充电
insulator n 绝缘体，绝缘物 nonconctive adj非导体的，绝缘的
antenna n天线；触角 modeling n建模，造型
simulation n 仿真；模拟 prototype n 原型
array n 排队，编队 vector n 向量，矢量
wavelet n 微波，小浪 sine 正弦 cosine 余弦
inverse adj倒转的，反转的n反面；相反v倒转
high-performance 高精确性，高性能 two-dimensional 二维的；缺乏深度的
three-dimensional 三维的；立体的；真实的
object-oriented programming面向对象的程序设计 spectral adj 光谱的
attenuation n衰减；变薄；稀释 distortion n 失真，扭曲，变形
wavelength n 波长 refractive adj 折射的
❸ 什么是IGBT它的作用是什么
IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。
从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。
所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
(3)功能器件英语怎么说及英文翻译扩展阅读；
方法
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
导通
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。
当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 一个空穴电流(双极)。
关断
当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。
这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。