功能器件英語怎麼說及英文翻譯
❶ 功率器件 門極和柵極有什麼區別
據我了解，門極是針對於電流驅動型器件來說的，它指的是電流驅動型器件的控制端。
柵極是針對於電壓驅動型器件來說的，它指的是電壓驅動型器件的控制端。
門極和柵極二者的英文翻譯均為gate，簡稱均為G。
❷ 電子線路詞彙的英文翻譯
transistor n 晶體管 diode n 二極體
semiconctor n 半導體 resistor n 電阻器
capacitor n 電容器 alternating adj 交互的
amplifier n 擴音器，放大器 integrated circuit 集成電路
linear time invariant systems 線性時不變系統
voltage n 電壓，伏特數 tolerance n 公差；寬容；容忍
condenser n 電容器；冷凝器 dielectric n 絕緣體；電解質
electromagnetic adj 電磁的 adj 非傳導性的
deflection n偏斜；偏轉；偏差
linear device 線性器件 the insulation resistance 絕緣電阻
anode n 陽極，正極 cathode n 陰極
breakdown n 故障；崩潰 terminal n 終點站；終端，接線端
emitter n 發射器 collect v 收集，集聚，集中
insulator n 絕緣體，絕熱器 oscilloscope n 示波鏡；示波器
gain n 增益，放大倍數 forward biased 正向偏置
reverse biased 反向偏置 P-N junction PN結
MOS（metal-oxide semiconctor） 金屬氧化物半導體
enhancement and exhausted 增強型和耗盡型
integrated circuits 集成電路
analog n 模擬 digital adj 數字的，數位的
horizontal adj, 水平的，地平線的 vertical adj 垂直的，頂點的
amplitude n 振幅，廣闊，豐富 attenuation n衰減；變薄；稀薄化
multimeter n 萬用表 frequency n 頻率，周率
the cathode-ray tube 陰極射線管 al-trace oscilloscope 雙蹤示波器
signal generating device 信號發生器peak-to-peak output voltage 輸出電壓峰峰值
sine wave 正弦波 triangle wave 三角波 square wave 方波
amplifier 放大器，擴音器 oscillator n 振盪器
feedback n 反饋，回應 phase n 相，階段，狀態
filter n 濾波器，過濾器 rectifier n整流器；糾正者
band-stop filter 帶阻濾波器 band-pass filter 帶通濾波器
decimal adj 十進制的，小數的 hexadecimal adj/n十六進制的
binary adj 二進制的；二元的 octal adj 八進制的
domain n 域；領域 code n代碼，密碼，編碼v編碼
the Fourier transform 傅里葉變換 Fast Fourier Transform 快速傅里葉變換
microcontroller n 微處理器；微控制器
assembly language instrucions n 匯編語言指令
chip n 晶元，碎片 molar adj 模塊化的；模數的
sensor n 感測器 plug vt堵，塞，插上n塞子，插頭，插銷
coaxial adj 同軸的，共軸的 fiber n 光纖
relay contact 繼電接觸器 single instruction programmer 單指令編程器
dedicated manufactures programming unit 專供製造廠用的編程單元
beam n （光線的）束，柱，梁 polarize v（使）偏振，（使）極化
Cathode Ray Tube（CRT） 陰極射線管
neuron n神經元；神經細胞 fuzzy adj 模糊的
Artificial Intelligence Shell 人工智慧外殼程序 Expert Systems 專家系統
Artificial Intelligence 人工智慧 Perceptive Systems 感知系統
neural network 神經網路 fuzzy logic 模糊邏輯 intelligent agent 智能代理
electromagnetic adj 電磁的 coaxial adj 同軸的，共軸的
microwave n 微波 charge v充電，使充電
insulator n 絕緣體，絕緣物 nonconctive adj非導體的，絕緣的
antenna n天線；觸角 modeling n建模，造型
simulation n 模擬；模擬 prototype n 原型
array n 排隊，編隊 vector n 向量，矢量
wavelet n 微波，小浪 sine 正弦 cosine 餘弦
inverse adj倒轉的，反轉的n反面；相反v倒轉
high-performance 高精確性，高性能 two-dimensional 二維的；缺乏深度的
three-dimensional 三維的；立體的；真實的
object-oriented programming面向對象的程序設計 spectral adj 光譜的
attenuation n衰減；變薄；稀釋 distortion n 失真，扭曲，變形
wavelength n 波長 refractive adj 折射的
❸ 什麼是IGBT它的作用是什麼
IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。
所以有了IGBT這種開關，就可以設計出一類電路，通過計算機控制IGBT，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統稱變換器。
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的「CPU」，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
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方法
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由於實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特徵，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。
雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標准雙極器件相比，可支持更高電流密度，並簡化IGBT驅動器的原理圖。
導通
IGBT矽片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和 N+ 區之間創建了一個J1結。
當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，並完全按照功率 MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內，那麼，J1將處於正向偏壓，一些空穴注入N-區內，並調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，並啟動了第二個電荷流。最後的結果是，在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：一個電子流(MOSFET 電流)； 一個空穴電流(雙極)。
關斷
當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低於門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始後，在N層內還存在少數的載流子(少子)。
這種殘余電流值(尾流)的降低，完全取決於關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特徵尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極體的設備上，問題更加明顯。
鑒於尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與晶元的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的。