位錯溶度英語怎麼說及英文單詞
1. 溶解度和濃度的全英文名怎麼寫
solubility
consistency
2. 氰尿酸溶解度
三氯異氰尿酸白色粉未，水中溶解度為1．2％，有效氯含量90％。
簡介
中文名稱：三氯異氰脲酸；三氯異氰尿酸；強氯精；三氯乙氰脲酸；三氯三嗪三酮
熔點：247-251℃
英文名：Trichloroisocyanuric acid （TCCA）
英文別名：Trichloroisocyanuric acid；3,5-Triazine-2,4,6（1H,3H,5H)-trione，；1,3,5-trichloro-1;6（1h,3h,5h)-trione；1,3,5-trichloro-s-triazine-4;5-triazine-2,4,6（1h,3h,5h)-trione；1,3,5-trichloro-3;1,3,5-trichloro-1,3,5-triazinetrione；1,3,5-trichloro-2,4,6-trioxohexahydro-s-triazine；1,3,5-trichloro-s-triazine-2,4,6（1h,3h,5h)-trione。
類別：消毒防腐葯·鹵素類
白色結晶性粉末或粒狀固體，具有強烈的氯氣刺激味，含有效氯在90%以上，25度時水中的溶解度為1.2克，遇酸或鹼易分解[1] 。
結構性質編輯
一、基本理化性質。
分子式：C3Cl3N3O3
分子量：232.41
有效氯含量（%）：（優等品）≥90.0；（合格品）≥88.0
水分含量（%）：≤0.5
外觀：白色結晶粉劑、粒劑、塊劑 （200克片，500克片等）
性狀：有刺激性氣味
比重：0.95（輕質）/1.20（重質）
pH值（1%水溶液）：2.6～3.2
溶解度（25℃水）：1.2g/100g
溶解度（30℃丙酮）：36g/100g
三氯異氰尿酸是氯代異氰尿酸系列產品之一，學名三氯-均三嗪2，4，6（1H，3H，5H）三酮，英文名稱Trichl0ID-isocyantlric Acid．簡稱TCCA，純品為粉末狀白色結晶，有效氯理論含量91．54%，工業品有效氯含量不低於85%，活性氯含量比漂白粉高2～3倍。三氯異氰尿酸是漂白粉、漂白精的更新換代產品，三廢比漂白精大大降低，先進國家有用它替代漂白精的趨勢。化學結構式為：
3. 大家幫忙翻譯一下這段英文，不要谷歌的
Whisker formation occurred only under very specific process conditions that proced a high etch selectivity at the dislocations. We have previously reported whisker formation in narrow window of solution concentration (0.01–0.04 M KOH) for unstirred solutions.
晶須的形成只有處於很具體的工藝條件下在位錯產生高腐蝕選擇性時才會發生。我們以前曾經報導過在未攪拌的，濃度在0.01–0.04 M KOH之間的溶液的窄窗口有晶須形成。
5 Stirring the solution ring etching provided more controllable process conditions by enabling whisker formation over a wider range of solution concentration (compared to unstirred solutions).
When using stirred solutions, selective etching occurred for concentrations of 0.001–0.01 M KOH. Note that these solutions are significantly more dilute than for the unstirred case.
5. 在腐蝕過程攪拌溶液可以促使晶須在更寬廣的溶液濃度范圍形成（與未攪拌溶液相對比），這樣可以提供更多可控的工藝條件。使用濃度在0.001–0.01 M KOH之間的攪拌溶液可以產生選擇性腐蝕。要注意的是這些溶液要比未攪拌溶液的濃度顯著地更稀釋。
The solution concentrations that enable the selective etching of dislocations appear to correspond to moderately diffusion-limited etching conditions. Decreasing the solution concentration further resulted in a strongly diffusion-limited etch process and a smooth etched surface morphology free of whiskers.
促使位錯的選擇性腐蝕的溶液濃度似乎與中等擴散限制的腐蝕條件相對應。進一步降低溶液濃度的結果是一個強性擴散限制的腐蝕過程以及一個沒有晶須的平滑表面形貌。
【英語牛人團】
您是苗族人嗎？您翻譯的In the End, 英語水平不錯呀！
4. 幾何必須位錯的概念是什麼，及其對塑性的影響
1、定義
位錯又可稱為差排（英文：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不規則排列（晶體學缺陷）。從幾何角度看，位錯屬於一種線缺陷，可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線，其存在對材料的物理性能，尤其是力學性能，具有極大的影響。「位錯」這一概念最早由義大利數學家和物理學家維托·伏爾特拉（Vito
Volterra）於1905年提出。
理想位錯主要有兩種形式：刃位錯（edge dislocations）和 螺位錯（screw dislocations）。混合位錯（mixed dislocations）兼有前面兩者的特徵。
這一理論可以解釋實際晶體中位錯的行為：可以在晶體中移動位置，但自身的種類和特徵在移動中保持不變；方向（伯格斯矢量）相反的兩個位錯移動到同一點，則會雙雙消失，或稱「湮滅」，若沒有與其他位錯發生作用或移到晶體表面，那麼任何單個位錯都不會自行「消失」（即伯格斯矢量始終保持守恆）。
位錯的幾何概念
①簡單立方（simple
cubic）晶體原子排列和②晶面示意圖刃位錯和螺位錯是主要的兩種位錯類型。然而實際晶體中存在的位錯往往是混合型位錯，即兼具刃型和螺型位錯的特徵。
晶體材料由規則排列的原子構成，一般把這些原子抽象成一個個體積可忽略的點，把它們排列成的有序微觀結構稱為空間點陣。逐層堆垛的原子構成一系列點陣平面的，稱為晶面（可以將晶體中原子的排列情況想像成把橙子規則地裝進箱子里的樣子）。具體的排列情況如圖2所示。在無位錯的晶體（完整晶體）中，晶面（圖2中的紅色平行四邊形）以等間距規則地排列
2、刃位錯
③一個刃位錯附近的晶面排列情況，圖中黑線代表伯格斯矢量方向，藍線為位錯線。
④刃位錯附近的原子排列情況，沿平行於位錯線方向觀察若一個晶面在晶體內部突然終止於某一條線處，則稱這種不規則排列為一個刃位錯。如③和④所示，刃位錯附近的原子面會發生朝位錯線方向的扭曲以致錯位。
刃位錯可由兩個量唯一地確定：第一個是位錯線，即多餘半原子面終結的那一條直線；第二個是伯格斯矢量（Burgers
vector，簡稱伯氏矢量或柏氏矢量），它描述了位錯導致的原子面扭曲的大小和方向。對刃位錯而言，其伯氏矢量方向垂直於位錯線的方向。
利用彈性力學理論可求得刃位錯導致的應力場為：
σxx=―[μb*y(3x^2+y^2)]/[2π(1―v)(x^2+y^2)]
σyy=―[μb*y(x^2-y^2)]/[2π(1-v)(x^2+y^2)
τzz=―[μb*x(x^2-y^2)]/[2π(1-v)(x^2+y^2)
其中 μ 為材料的剪切模量，b 為伯格斯矢量，ν
為泊松比，x 和 y 為直角坐標分量。 從上述解中可以看出，在含有多餘半原子面的一側（y > 0），材料承受壓應力（σxx <
0）；在多餘半原子面「消失」的一側（y < 0），材料承受拉應力（σxx > 0）。
螺位錯
如⑤所示，將規則排列的晶面想像成一疊間距固定的紙片，若將這疊紙片剪開（但不完全剪斷），然後將剪開的部分其中一側上移半層，另一側下移半層，形成一個類似於樓梯拐角處的排列結構，則此時在「剪開線」終結處（這里已形成一條垂直紙面的位錯線）附近的原子面將發生畸變，這種原子不規則排列結構稱為一個螺位錯。
⑤一個螺位錯附近的晶面排列情況可以看出，螺位錯的伯氏矢量平行於其位錯線方向。
盡管形象不甚直觀，但螺位錯的應力場卻遠比刃位錯的應力場容易求解。在一級近似下，螺位錯應力場只有一個剪應力分量不為零：τr=-μb/2πr
式中 μ 為材料的剪切模量，b 為伯氏矢量，r
為所在點的極坐標極軸分量。
該應力解顯示，螺位錯附近的應力場呈軸對稱式分布，大小從內到外遞減。但需要注意的是在位錯核心區（r=0）處按上述解將得出應力無窮大，這是不符合實際情況的。因此上述應力表達式不適用於位錯核心的嚴重畸變區。
3、混合位錯
如前所述，刃位錯的伯氏矢量垂直於位錯線的方向，螺位錯的伯氏矢量平行於其位錯線方向。但實際材料中位錯的伯氏矢量往往既非平行又非垂直於位錯線方向，這些位錯兼具了刃位錯和螺位錯的特徵，稱為混合位錯。
位錯的觀測 間接觀測
若材料中的位錯線與材料表面相交（俗稱位錯「露頭」），則交點處附近由於位錯應力場的存在，其化學穩定性將低於表面的其它部分。若用酸性腐蝕劑（如氫氟酸和硝酸的混合溶液）對這樣的表面進行腐蝕，則位錯「露頭」處的腐蝕速度將遠高於其它部分，可形成一個「腐蝕坑」。再利用一些表面顯微觀察技術（如掃描電子顯微鏡、干涉顯微鏡等等）便可以觀察到位錯的「露頭」位置。圖6中展示了在干涉顯微鏡下，經上述方法制備得到矽片表面位錯腐蝕坑的形態，根據腐蝕坑邊緣的形狀可以確定矽片的晶體學取向——橢圓形代表矽片表面為(100)晶面，三角形代表矽片表面為(111)晶面。
若施加外力令材料發生一系列微小變形，則每次變形後某一特定位錯都將處於不同的位置。如果每次變形後都對材料表面進行腐蝕，則同一位錯形成的一系列腐蝕坑將粗略地顯示出位錯運動的軌跡。
進行上述觀測的前提是材料表面能加工到具有足夠高的光潔度，或者說足夠低的粗糙度。
直接觀測 ⑦位錯的透射電子顯微鏡照片
⑧位錯的透射電子顯微鏡照片
利用透射電子顯微鏡（Transmission
Electron
Microscope，簡稱TEM）可直接觀察到材料微結構中的位錯。TEM觀察的第一步是將金屬樣品加工成電子束可以穿過的薄膜。在沒有位錯存在的區域，電子通過等間距規則排列的各晶面時將可能發生衍射，其衍射角、晶面間距及電子波長之間滿足布拉格定律（Bragg's
law）。而在位錯存在的區域附近，晶格發生了畸變，因此衍射強度亦將隨之變化，於是位錯附近區域所成的像便會與周圍區域形成襯度反差，這就是用TEM觀察位錯的基本原理，因上述原因造成的襯度差稱為衍射襯度。
在⑦和⑦中，中間稍亮區域（晶粒）里的暗線就是所觀察到位錯的像。由於多晶材料中不同晶粒的晶體學取向不同，因此晶粒之間亦存在襯度差別，這就是圖7和圖8中中間區域較周圍區域更亮的原因。值得注意的是，圖中位錯像所具有的「蜿蜒」的形態，這是位錯線在厚度方向穿過試樣（薄膜）的位錯在TEM下的典型形態；還需注意的是圖中位錯像的終結處實際上是因為位錯線到達了試樣表面，而非終結在了試樣內部。所有位錯都只能以位錯環的形式終結於晶粒的內部。
用TEM觀察位錯時，放大倍數一般選在5萬到30萬倍之間，這遠未達到TEM放大倍數的極限。部分TEM還配有對試樣進行在觀察中原位加熱/變形的裝置，可以直接對位錯的運動進行實時觀察。
場離子顯微鏡（Field ion
micros，簡稱FIM）和原子探針（atom
probe）技術提供了放大倍數更高（一般在300萬倍以上）的觀測方法，可在原子尺度對材料表面的位錯進行直接觀測。
4、位錯源
材料中的位錯密度會隨著塑性形變的進行而增加，其數量大致滿足關系：，其中 τ
為塑性流動應力，ρ
為位錯密度。由這一關系可以推測，材料內部必然存在著位錯的起源與增殖的機制，這些機制在外加應力的作用下將被激活，以提供增加的位錯數。
人們已發現材料中存在以下三種位錯的起源（成核）機制：均勻成核、晶界成核和界面成核，其中最後一種包括各種沉澱相、分散相或增強纖維等等。
位錯的增殖機制主要也有三種機制：弗蘭克-里德位錯源（Frank-Read
source）機制、雙交滑移增殖機制，和攀移增殖機制。
5、位錯的滑移與晶體塑性
在1930年代以前，材料塑性力學行為的微觀機理一直是嚴重困擾材料科學家重大難題。1926年，蘇聯物理學家雅科夫·弗侖克爾（Jacov
Frenkel）從理想完整晶體模型出發，假定材料發生塑性切變時，微觀上對應著切變面兩側的兩個最密排晶面（即相鄰間距最大的晶面）發生整體同步滑移。根據該模型計算出的理論臨界分剪應力τm
為[4]：
其中G 為剪切模量。一般常用金屬的G
值約為104MPa～105MPa，由此算得的理論切變強度應為103MPa～104MPa。然而在塑性變形試驗中，測得的這些金屬的屈服強度僅為0.5～10MPa，比理論強度低了整整3個數量級。這是一個令人困惑的巨大矛盾。
1934年，埃貢·歐羅萬（Egon
Orowan），邁克爾·波拉尼（Michael Polanyi）和 G.I. 泰勒（G. I.
Taylor）三位科學家幾乎同時提出了塑性變形的位錯機制理論，解決了上述理論預測與實際測試結果相矛盾的問題[5]，[6]，[7]。位錯理論認為，之所以存在上述矛盾，是因為晶體的切變在微觀上並非一側相對於另一側的整體剛性滑移，而是通過位錯的運動來實現的。一個位錯從材料內部運動到了材料表面，就相當於其位錯線掃過的區域整體沿著該位錯伯格斯矢量方向滑移了一個單位距離（相鄰兩晶面間的距離）。這樣，隨著位錯不斷地從材料內部發生並運動到表面，就可以提供連續塑性形變所需的晶面間滑移了。與整體滑移所需的打斷一個晶面上所有原子與相鄰晶面原子的鍵合相比，位錯滑移僅需打斷位錯線附近少數原子的鍵合，因此所需的外加剪應力將大大降低。
在對材料進行「冷加工」（一般指在絕對溫度低於0.3
Tm下對材料進行的機械加工，Tm
為材料熔點的絕對溫度）時，其內部的位錯密度會因為位錯的萌生與增殖機制的激活而升高。隨著不同滑移系位錯的啟動以及位錯密度的增大，位錯之間的相互交截的情況亦將增加，這將顯著提高滑移的阻力，在力學行為上表現為材料「越變形越硬」的現象，該現象稱為加工硬化（work
hardening）或應變硬化（strain
hardening）。纏結的位錯常能在塑性形變初始發生時的材料中找到，纏結區邊界往往比較模糊；在發生動態回復（recovery）過程後，不同的位錯纏結區將分別演化成一個個獨立的胞狀結構，相鄰胞狀結構間一般有小於15°的晶體學取向差（小角晶界）。
由於位錯的積累和相互阻擋所造成的應變硬化可以通過適當的熱處理方法來消除，這種方法稱為退火。退火過程中金屬內部發生的回復或再結晶等過程可以消除材料的內應力，甚至完全恢復材料變形前的性能。
刃位錯的攀移
⑨刃位錯的攀移位錯可以在包含了其伯格斯矢量和位錯線的平面內滑移。螺位錯的伯氏矢量平行於位錯線，因此它可以在位錯線所在的任何平面內滑移。而刃位錯的伯氏矢量垂直於位錯線，所以它只有一個滑移面。但刃位錯還有一種在垂直於其滑移面方向上的運動方式，這就是攀移，即構成刃位錯的多餘半原子面的伸長或縮短。
攀移的驅動力來自於晶格中空位的運動。如⑨所示，若一個空位移到了刃位錯滑移面上與位錯線相鄰的位置上，則位錯核心處的原子將有可能「躍遷」到空位處，造成半原子面（位錯核心）向上移動一個原子間距，這一刃位錯「吸收」空位的過程稱為正攀移。若反之，有原子填充到半原子面下方，造成位錯核心向下移動一個原子間距，則稱為負攀移。
由於正攀移導致了多餘半原子面的退縮，所以將使晶體在垂直半原子面方向收縮；反之，負攀移將使晶體在垂直半原子面方向膨脹。因此，在垂直半原子面方向施加的壓應力會促使正攀移的發生，反之拉應力則會促使負攀移的發生。這是攀移與滑移在力學影響上的主要差別，因為滑移是由剪應力而非正應力促成的。
位錯的滑移與攀移另一處差異在於溫度相關性。溫度的升高能大大增加位錯攀移的概率。相比而言，溫度對滑移的影響則要小得多。
partition [pɑ:'tiʃən] n. 分割；劃分，分開；隔離物；隔牆
vt. 分割；區分；分隔
partition..
1. 分割
在Windows下以實體磁碟機建立基本磁碟時，是以分割（Partition）作為儲存與管理的單位，又分為主要分割與延伸分割，主要磁碟分割中可存放引導系統開機用的主開機紀錄，藉由MBR分區表（partition...
2. 隔間,區分
托業詞300 ...
leave 請假 He is often absent without leave
partition 隔間,區分
junk 垃圾 punk 朋克 ...
heaven.space.nau.e.cn- 基於215個網頁
3. 分割區
分割區(Partition):因中毒、作業系統錯誤、其他軟體使用不當而造成分割區,可用..
4. 分隔
[托業考試]TOEIC詞彙匯總(18) ...
out-tray 已處理文件盒
partition 分隔；分隔物（如牆壁等）
postage 郵費 ...
partition..分割 | 隔間,區分 | 分割區 | 分隔
partition
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partition coefficient..分配系數 | 配分系數 | 分配系數 | 狹義分配系數：
partition coefficient..分配系數 | 配分系數 | 分配系數 | 狹義分配系數：
partition coefficient
1. 分配系數
...色譜中，溶於流動相與溶於固定相的溶質分子處於動態平衡，平衡時濃度之比(嚴格應為活度比)為狹義分配系數(partition coefficient)： ；
溶質分子在固定相中溶解度越大，或在流動相中溶解度越小，則K越大。
2. 配分系數
化學及化工專業英語詞彙(P) - 專業詞彙 - 英語詞彙網 - 專業英語單詞詞彙 ...
partition chromatography 配分色層法
partition coefficient 配分系數
partition function 配分函數 ...
3. 分配系數
吾人可依此計算分配系數(partition coefficient)，作為實際工程設計參數。而在pH為9時，吸附行為於低濃度為線性，高濃度則達到飽和，此非線性吸附類似Freundlich吸附模式。
4. 狹義分配系數：
上海化學詞彙翻譯 上海翻譯化學公司 意神上海化學翻... ...
分配系數：distribution cofficient
狹義分配系數：partition coefficient
凝膠色譜法：gel chromatography ...
partition chromatography..分配色譜法 | 配分色層法 | 分配層析 | 分配色層譜學
partition chromatography..分配色譜法 | 配分色層法 | 分配層析 | 分配色層譜學
partition chromatography
1. 分配色譜法
分配色譜法 （partition chromatography ）：根據不同組分在固定相中的溶解能力和在兩相間分配系數的差異進行分離的方法。如：氣-液色譜法、液-液色譜法——分配色譜3.
2. 配分色層法
化學及化工專業英語詞彙(P) - 專業詞彙 - 英語詞彙網 - 專業英語單詞詞彙 ...
partition 配分
partition chromatography 配分色層法
partition coefficient 配分系數 ...
3. 分配層析
...dsorption chromatography )即利用吸附劑表面對不同組分吸附性能的差異,達到分離鑒定的目的;分配層析(partition chromatography)即利用不同組分在流動相和固定相之間的分配系數(或溶解度)不同,而使之分離的方法;離子交換層析(ion-exchange chromatography )即...
4. 分配色層譜學
免費專業英語詞彙下載 ...
微粒 particulate
分配色層譜學 partition chromatography
分配函數 partition function ...
extended partition..擴展分區 | 延伸分割區 | 擴充分區 | 延伸區間
extended partition..擴展分區 | 延伸分割區 | 擴充分區 | 延伸區間
extended partition
1. 擴展分區
擴展分區(Extended Partition): 所謂擴展分區，嚴格地講它不是一個實際意義的分區，它僅僅是一個指向下一個分區的指針，這種指針結構將形成一個單向鏈表。
2. 延伸分割區
延伸分割區（Extended Partition）：一顆硬碟最多隻能擁有四個主要分割區，為了增加分割區的數量，故有了延伸分割區的產生，當你將一個分割區設定為延伸時，事實上...
3. 擴充分區
...本已安裝好的軟體，其實，只要在新硬碟上不要使用Primary Partition（主分區）分區類型，全部割成Extended Partition（擴充分區）然後建立Logical Drive（邏輯磁碟），新硬碟被分配的磁碟代號就不會被插入在舊硬碟的磁碟代號前面了。
4. 延伸區間
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延伸區間 extended partition
延伸分區規格表 extended partition specification table，EPST ...
isolating partition..隔離間壁 | 絕緣隔板 | 絕緣隔 | 絕緣隔（考試大咨詢工程師）
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isolated footing 獨立基腳
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4. 絕緣隔（考試大咨詢工程師）
咨詢工程師考試：建築類英語詞彙總結（八十）-中國注... ...
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Accordion partition..折疊隔板 | 折隔屏 | 摺隔屏 | 折隔扇，折隔屏
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Accordion partition
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air partition..風牆 | 隔風牆 | 空氣隔斷
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partition bulkhead..隔間艙壁 | 分隔艙壁 | 間壁 | 分隔隔壁
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partition bulkhead 分隔艙壁
partition bulkhead 分隔隔壁
partition bulkhead 間壁 ...
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例句與用法
1. Specify whether you want to format this partition.
指定是否想格式化這個磁碟分區。
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2. The partition flag field for this volume record cannot be read.
無法讀取這個卷記錄的分區標志欄位。
www.volunteering-hk.org
3. Also note that FAT tables in the second partition are smaller than in the first one.
同樣還需要注意到，在第二個分區中的FAT表要比第一個的小。
6. 溶度積計算公式
例如：AgCI(s)≒Ag+(aq)+Cl-(aq)
該反應的平衡常數表達式如下：
(6)位錯溶度英語怎麼說及英文單詞擴展閱讀
一般說，組成相似的難溶電解質隨Ksp減小，溶解度也減小，比如Ksp（AgCl）>Ksp（AgBr）>Ksp（AgI），則溶解度S（AgCl）>S（AgBr）>S（AgI）。
組成不同的難溶電解質（比如AgCl和Ag₂CrO₄）的Ksp大小，不能直接反映出它們的溶解度大小，需通過計算進行溶解度的比較。而在AgNO₃溶液中，由於同離子效應，使AgCl和Ag₂CrO₄的溶解度均比在水中明顯降低。
7. 什麼是位錯位錯對金屬力學性能有什麼影響
位錯又可稱為差排（英語：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不規則排列（晶體學缺陷）。從幾何角度看，位錯屬於一種線缺陷，可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線，其存在對材料的物理性能，尤其是力學性能，具有極大的影響，主要就是造成晶格畸變，導致韌性下降，脆性上升，強度提高。
位錯對金屬力學性能影響，首先，金屬材料的強度與位錯在材料受到外力的情況下如何運動有很大的關系。如果位錯運動受到的阻礙較小，則材料強度就會較高。實際材料在發生塑性變形時，位錯的運動是比較復雜的，位錯之間相互反應、位錯受到阻礙不斷塞積、材料中的溶質原子、第二相等都會阻礙位錯運動，從而使材料出現加工硬化。因此，要想增加材料的強度就要通過諸如：細化晶粒（晶粒越細小晶界就越多，晶界對位錯的運動具有很強的阻礙作用）、有序化合金、第二相強化、固溶強化等手段使金屬的強度增加。
8. 請問什麼是溶度
溶度參數就是溶解度參數，但是溶度積不是溶解度。單獨的溶度這個概念沒有遇到過。
溶解度(Solubility) 在一定的溫度和壓力下，物質在一定量的給定溶劑中溶解的最大量稱為溶解度。固體或液體物質的溶解度，一般用100g溶劑中能夠溶解物質的克數表示。氣體溶質的溶解度常用每升溶劑中所溶解氣體的毫升數表示。
溶解度參數(Solubility parameter) 溶解度參數還稱為溶度參數，是分子間作用力的一種量度。使分子聚集在一起的作用能稱為內聚能。單位體積的內聚能叫做內聚能密度(CED)、CED的平方根(CED)1/2定義為溶解度參數，代號為δ或SP。
溶度積Ksp是從平衡常數角度反應難溶電解質溶解趨勢，而溶解度表示難溶物溶解的程度，常用S來表示難溶物飽和溶液的物質的量濃度，從難溶物電解質溶解和電離出的離子濃度與溶解度S的關系找得Ksp和S關系式。
(1) 以BaSO4 為例，設其溶解度為S，得與Ksp的關系：
BaSO4（s） ←→ Ba2+ （aq） + SO42-（aq）
平衡時 S S
得：Ksp＝S2 所以：S＝（Ksp）1/2
以AgCrO4為例，設平衡時[CrO2-]為S，則[Ag +]為2 S，則由反應式得：
AgCrO4 ←→ 2 Ag +＋ CrO2-
平衡時 2S S
得：Ksp＝(2S)2·S 所以：S＝（Ksp/4）1/3
（2）同離子效應對溶解度的影響
設AgCl在0.10 mol·L-1的NaCl中溶解度為S，由反應式得：
AgCl ←→ Ag＋＋ Cl－
平衡時 S S＋0.10
得：Ksp＝S（S＋0.10） 而S << 0.10
所以：Ksp＝S×0.10 ，S＝ 10Ksp
（3）鹽效應
由於在溶液中加入可溶性強電解質而使難溶性強電解質得溶解度增大的效應。但是鹽效應引起的溶解度的變化很小，一般情況下不予考慮。
9. 溶度積，是什麼意思英文怎麼說跟離子積是什麼關系
溶度積：難溶電解質在水中的沉澱溶解平衡常數，稱為溶度積常數，簡稱溶度積。
英文solubility proct
跟離子積沒關系。離子積常數是研究水的電離的。