正向電壓英語怎麼說及英文單詞
Ⅰ 二極體用什麼符號表示
二極體符號如下：
二極體是用半導體材料(硅、硒、鍺等)製成的一種電子器件。它具有單向導電性能， 即給二極體陽極和陰極加上正向電壓時，二極體導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極體截止。 因此，二極體的導通和截止，則相當於開關的接通與斷開。
大部分二極體所具備的電流方向性，通常稱之為「整流（Rectifying）」功能。二極體最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。
因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極體並不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特徵——這是由特定類型的二極體技術決定的。二極體使用上除了用作開關的方式之外還有很多其他的功能。
Ⅱ 什麼是IGBT它的作用是什麼
IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。
所以有了IGBT這種開關，就可以設計出一類電路，通過計算機控制IGBT，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統稱變換器。
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的「CPU」，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
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方法
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由於實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特徵，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。
雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標准雙極器件相比，可支持更高電流密度，並簡化IGBT驅動器的原理圖。
導通
IGBT矽片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和 N+ 區之間創建了一個J1結。
當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，並完全按照功率 MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內，那麼，J1將處於正向偏壓，一些空穴注入N-區內，並調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，並啟動了第二個電荷流。最後的結果是，在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：一個電子流(MOSFET 電流)； 一個空穴電流(雙極)。
關斷
當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低於門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始後，在N層內還存在少數的載流子(少子)。
這種殘余電流值(尾流)的降低，完全取決於關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特徵尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極體的設備上，問題更加明顯。
鑒於尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與晶元的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的。
Ⅲ LED是什麼一思
LED（Light Emitting Diode），發光二極體，是一種固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個晶片陵乎蠢被環氧頃迅樹脂封裝起來。半導體晶片由三部分組成，一部分是P型半導體，在它裡面空穴佔主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子，中間通常是1至5個周期的量子阱。當電流通過導線作用於這個晶片的時候，電子和空穴就會被推向量子阱，在量子阱內電子跟空穴復合，然後就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理尺陪。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。